廠商技術優化,降本提產新動作
發布時間:2022-06-09 15:22
來源:螢光創新

CCS 3x2 MOCVD系統
本次CCS 3x2 MOCVD系統具有3x2 英寸晶圓的容量,最高工作溫度為 1400°C,由德國沉積設備制造商Aixtron SE子公司Aixtron Ltd 從其用于化合物半導體材料的緊密耦合噴頭金屬有機化學氣相沉積 (CCS MOCVD) 產品系列向博伊西州立大學提供。
CCS 3x2 系統包括新型結構——能夠在藍寶石上沉積石墨烯和六方氮化硼 (hBN)作為氮化鎵 (GaN) 基紫外發光二極管 (UV LED)。還有 Aixtron 專有的 ARGUS 和 EPISON 原位計量技術,是目前唯一可以配置用于組合 2D 和 GaN 研究的系統技術,同時還允許異質結構的生長。

4個反應腔的ProMaxy® UV 的機型
針對深紫外 LED外延生長 AlN(鋁氮)的材料晶體質量,表面形貌特征,及裂紋控制,對提高功率轉化效率和良品率具有重大的影響,在這個基礎上中晟光電在技術方面做了進一步提升,建立了外延生產高質量的 AlN 基板,可以將2英寸片產能提高到15片的MOCVD核心技術。
日晟光電隨后推出了4 個反應腔的ProMaxy® UV的機型,進一步達成降本提產。既可每腔獨立外延生產深紫外 LED 全結構,也能分腔集成外延生產 AlN 基板和 LED 結構。其表面特征 Rq<0.5nm,邊緣裂紋控制在<2mm的高質量、低成本的 AlN 基板,已經成了眾多客戶深紫外LED首選。

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